[发明专利]利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法

摘要

本发明是提供一种利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其是在一基底表面形成一栅氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后，利用蚀刻技术蚀刻栅极堆栈结构，以形成一顶边宽底边窄的反梯形结构，利用该栅极堆栈结构为屏蔽，进行一浅离子掺杂的垂直植入步骤，在栅极堆栈结构两侧的基底中形成一浅离子掺杂区，在后续的热制程中，浅离子掺杂区将横向扩散至栅极堆栈结构的底边周缘下方的基底，以形成轻掺杂漏极结构。故确保栅极堆栈结构下方的信道长度，藉此保留栅极下方的信道距离，减少多晶硅栅极与浅掺杂区的电容，并可防止源极与漏极产生击穿效应，使得当组件尺寸缩小的情况下，仍可保持组件的特性，提升产品的合格率。

主权项

1.一种利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其特征是包括下列步骤：提供一基底，其上已形成一栅极堆栈结构，该栅极堆栈结构包括有一栅氧化层及多晶硅栅极；蚀刻该栅极堆栈结构，以形成一顶边较底边宽的反梯形态样；以该栅极堆栈结构为屏蔽，进行一浅离子掺杂制程，以在该栅极堆栈结构两侧的该基底中，形成一浅离子掺杂区；及进行一热制程，使得该浅离子掺杂区横向扩散至该栅极堆栈结构的底边周缘的该基底中，以形成轻掺杂漏极结构。