[发明专利]铁电电容器的制造方法无效
| 申请号： | 02130549.8 | 申请日： | 2002-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1417849A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李俊冀;朴永洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 铁电电容器的制造方法。该方法包括在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造铁电电容器的方法，该方法包括步骤：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层中形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，该导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；以及在防氧化层上顺序地形成下部电极、铁电层和上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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