[发明专利]铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法

摘要

本发明公开了一种铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法，它涉及半导体光电器件制造的扩散工艺。它采用开管式扩散石英管结构，通入氮气和氢气保护气体，将锌扩散源和半导体片装入石墨扩散舟中，在扩散炉中常压下进行高温扩散，完成半导体片的锌扩散工艺。本发明具有扩散结果均匀、重复，结特性好，而且还具有制造工艺简单，操作方便、安全，半导体片尺寸可以随着扩散炉的增大而尺寸做大，扩散舟和扩散源都可反复多次使用，成本低廉等优点，特别适用于半导体光电器件的锌扩散工艺。

主权项

1.一种铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法，其特征在于包括步骤：①扩散石英管放入扩散炉内，扩散炉升温到400至600℃；②扩散石英管中通入氮气和氢气混合气体；③将扩散源和铟磷/铟镓砷外延半导体片装入有盖的扩散舟中；④将扩散舟推入扩散石英管中，在扩散炉内进行高温扩散，高温扩散时间为10至30分钟，扩散石英管中气压为常压；⑤将扩散舟拉出，冷却后取出铟磷/铟镓砷外延半导体片，制作完成。