[发明专利]双取向硅钢的真空退火工艺无效
| 申请号： | 02131107.2 | 申请日： | 2002-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1401793A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 毛卫民;吴勇;余永宁 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C21D1/26 | 分类号： | C21D1/26;C21D8/12;C22C38/02 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双取向硅钢的真空退火工艺，涉及金属材料的真空退火。本发明为了改善硅钢双向软磁性能，在钢板表面充分形成旋转立方织构，提出将含硅重量百分数在2.6％至3.2％之间的电工硅钢真空加热，加热温度在1050℃至1150℃之间，加热时间在1至8小时，不仅工艺路线简单，而且能促使相应冷轧硅钢表面形成很强的旋转立方织构，并导致钢板最终优异的双向软磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 硅钢 真空 退火 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种适用于含硅重量百分数在2.6％至3.2％之间的双取向电工硅钢的真空退火工艺，其特征在于，将其真空加热，加热温度在1050℃至1150℃之间，加热时间在1至8小时。
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