[发明专利]光刻编程系统及其应用无效
| 申请号： | 02131352.0 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1409171A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;G06T9/00;G06F15/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种光刻编程系统及其应用。光刻编程系统通过提高掩模版的再使用率来降低光刻成本，其核心技术是开口可编程掩模版(OPM掩模版)。OPM掩模版根据来自用户的设置数据调制其明暗图形，从而将设置数据赋值到目标载体(如硅片、常规掩模版、光盘母盘)中。通过多遍错位曝光和/或两次成像，基于成熟技术的OPM掩模版(光调制元大小～5μm)能应用到深亚微米(～0.25μm)的光刻编程中。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 编程 系统 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光刻编程系统(30)，其特征在于含有一开口可编程掩模版(30)，所述开口可编程掩模版含有：一含有至少一开口(70)的开口定义面(32)；一含有至少一个光调制元(40)的光调制面(38)，该光调制元(40)对通过该开口的曝光光线进行调制。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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