[发明专利]纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法有效
| 申请号： | 02131511.6 | 申请日： | 2002-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1400669A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | P·哈格梅耶 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种纵向晶体管(100)，具有设置在半导体衬底(101)中的垂直方向上的一源区(103)、一漏区(109)、一栅极区(108)、和一在源区(103)与漏区(109)之间的沟道区(104)，其中，栅极区(104)具有对源区(103)、对漏区(109)、和对沟道区(104)的电绝缘，并且是如此地围绕沟道区(104)设置的，使得栅极区(108)和沟道区(104)形成一同轴结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 晶体管 存储 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.纵向晶体管·具有一源区，·具有一漏区，·具有一栅极区，和·具有一在源区和漏区之间的沟道区，·其中，在半导体衬底中的垂直方向上设置源区、沟道区和漏区，·其中，栅极区具有对源区、对漏区和对沟道区的电绝缘，和·其中，栅极区(104)是如此地围绕沟道区布置的，使得栅极区和沟道区(104)形成一种同轴结构。
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