[发明专利]金属电容器的制造方法有效
| 申请号： | 02131610.4 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1482667A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 黄崎峰;陈俊宏;王是琦;林志贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属电容器的制造方法，该方法首先提供一半导体基底，具有一镶嵌铜结构；然后，在上述镶嵌铜结构上形成一金属层；接著，在上述金属层上形成一金属电容器，其中该金属电容器具有由氮化钽层或氮化钛层所构成的电极层；最后，在上述金属电容器的侧壁形成一绝缘侧壁层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属电容器的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，具有一镶嵌铜结构；在该镶嵌铜结构上形成一金属层；在该金属层上形成一金属电容器，其中该金属电容器具有由氮化钽层或氮化钛层所构成的电极层；以及在该金属电容器的侧壁形成一绝缘侧壁层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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