[发明专利]防止镶嵌式铜金属受损的结构及其方法有效
| 申请号： | 02131612.0 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1482847A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/06;H05K1/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种防止镶嵌式铜金属受损的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底顶层为一绝缘层，在该绝缘层上具有至少一开口，在该绝缘层上顺应性形成一第一阻障层，在该第一阻障层上全面性形成一铜金属层，以该第一阻障层表面为终点，进行一化学机械研磨制程，以平坦化该铜金属层，实施一选择性蚀刻制程在该平坦化的铜金属层，使该铜金属层表面相对低于该绝缘层表面，在该开口内形成一第二阻障层，使该铜金属层完全密封在该第一阻障层和该第二阻障层之内；本发明将铜金属完全密封于阻障层之内，可避免铜金属直接暴露在潮湿空气中或是因接触酸性气体而产生的氧化现象，且亦可用于防制因退火制程后，铜金属在引洞中的凸起现象。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 镶嵌 金属 受损 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止镶嵌式铜金属受损的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底顶层为一绝缘层，在该绝缘层上具有至少一开口；在该绝缘层上顺应性形成一第一阻障层；在该第一阻障层上全面性形成一铜金属层；以该第一阻障层表面为终点，进行一化学机械研磨制程，以平坦化该铜金属层；实施一选择性蚀刻制程于该平坦化的铜金属层，使该铜金属层表面相对低于该绝缘层表面，而形成一凹处；在该凹处内形成一第二阻障层，使该铜金属层完全密封于该第一阻障层和该第二阻障层之内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02131612.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
