[发明专利]测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法

摘要

一种测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法，该测试元件设置于一晶片的切割道中，包括一沟槽电容器，其包括一电极层具有一第一掺杂浓度、一第一导电层具有一第二掺杂浓度以及一第二导电层具有一第三掺杂浓度；一阻绝块，贯穿第二导电层且延伸至第一导电层中，将第二导电层区分成一第一部分及一第二部分；一第一接触插塞，耦接第二导电层第一部分的一侧；一第二接触插塞，耦接第二导电层第一部分的另一侧；及一第三接触插塞，耦接第二导电层的第二部分。借由第一接触插塞和第二接触插塞间测得的第一电阻值，及第二接触插塞和第三接触插塞间测得的第二电阻值，以监控沟槽电容器中埋入层的掺杂浓度是否异常。

主权项

1.一种用于检测沟槽电容器中埋入层的掺杂浓度是否异常的测试元件，设置于一晶片的切割道中，该测试元件包括：一沟槽电容器，设置于该切割道中，该沟槽电容器包括一电极层具有一第一掺杂浓度、一第一导电层具有一第二掺杂浓度以及一第二导电层具有一第三掺杂浓度；一阻绝块，设置于该沟槽电容器中，贯穿该第二导电层且延伸至该第一导电层中，将该第二导电层区分成一第一部分及一第二部分；一第一接触插塞，耦接该第二导电层的第一部分的一侧；一第二接触插塞，耦接该第二导电层的第一部分的另一侧；以及一第三接触插塞，耦接该第二导电层的第二部分。