[发明专利]在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法有效
| 申请号： | 02131620.1 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1482665A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李世达;徐震球 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法。首先，提供一基底，其覆盖有一绝缘层且绝缘层具有一金属内连线；接着，在金属内连线及介电层上方形成一封盖层；然后，通过一反应气体对封盖层实施一电浆处理，其中所使用的反应气体选自二氧化碳、氨气、二氧化氮、硅烷、三甲基硅烷或四甲基硅烷的至少一种。最后，在封盖层上形成一低介电材料层，具有增加低介电常数材料层与封盖层之间的附着力的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 低介电 材料 连线 形成 阻障 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一基底，该基底覆盖有绝缘层，且该绝缘层具有金属内连线；(2)在该金属内连线及该介电层上方形成一封盖层；(3)在该封盖层上形成附着层；(4)在该附着层上形成低介电材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司，未经矽统科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02131620.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
