[发明专利]一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法有效
| 申请号： | 02131675.9 | 申请日： | 2002-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1482668A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;杜友伦;林天禄;陈椿瑶 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成栅极和电容之间隙壁的制作方法，此方法的步骤如下：在基板上形成浅沟绝缘区，且在其上依次形成一垫氧化层、一蚀刻停止层和第一氧化层。向下蚀刻出一凹陷区域，在该凹陷内壁沉积第一导体层，移除第一氧化层及蚀刻停止层，并依次形成介电层、第二导体层、第一氮化硅层、氮氧化硅层覆盖在浅沟绝缘区及有源区上，在该有源区上向下蚀刻到垫氧化层，依次形成第二氮化硅层和第二氧化层，先蚀刻第二氧化层，再蚀刻第二氮化硅层最后形成氮化硅和氧化层组合而成之间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 栅极 电容 间隙 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成栅极和电容之间隙壁的制作方法，该方法至少包含：形成一浅沟绝缘区于一半导体基材；依次形成一下电极层、一第一介电层、一上电极层和一第二介电层于该浅沟绝缘区；依次覆盖一氧化层和一第三介电层于该上电极层的侧壁及上方；蚀刻该第三介电层形成间隙壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02131675.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
