[发明专利]制作主动像素感测器的方法

摘要

本发明提供一种制作主动像素感测器的方法，于一半导体晶片表面制作复数个主动像素感测器，该半导体晶片包含有一P型基底、一主动像素感测区域以及一周边电路区；先形成一第一主动像素感测区块罩幕(APSBmask)，以覆盖住该主动像素感测区域，接着于未被该第一APSBmask所覆盖的晶片表面形成至少一N型井；然后去除该第一APSBmask，并于晶片表面形成一第二APSBmask以及至少一N型井罩幕，以分别覆盖住该主动像素感测区域以及该周边电路区中非P型井的区域；随后于未被该第二APSBmask以及该N型井罩幕所覆盖的晶片表面形成至少一P型井；最后去除该第二主动像素感测区块罩幕以及该N型井罩幕，并于该主动像素感测区域表面形成至少一感光二极管以及至少一CMOS晶体管；本方法将明显改善感光二极管的光感测区面积不一致的情形，进而改善画质。

主权项

1.一种制作主动像素感测器的方法，于一半导体晶片表面制作复数个主动像素感测器，该半导体晶片包含有一P型基底、一主动像素感测区域以及一周边电路区，其特征是：该方法包含有下列步骤：进行一第一黄光制程，于该半导体晶片表面形成一第一主动像素感测区块罩幕，以覆盖住该主动像素感测区域；进行一第一离子布植制程，以于未被该第一主动像素感测区块罩幕所覆盖的该半导体晶片表面形成至少一第一型井；去除该第一主动像素感测区块罩幕；进行一第二黄光制程，于该半导体晶片表面形成一第二主动像素感测区块罩幕以及至少一第一型井罩幕，以分别覆盖住该主动像素感测区域以及该周边电路区中非第二型井的区域；进行一第二离子布植制程，以于未被该第二主动像素感测区块罩幕以及该第一型井罩幕所覆盖的该半导体晶片表面形成至少一第二型井；去除该第二主动像素感测区块罩幕以及该第一型井罩幕；以及于该主动像素感测区域表面形成至少一感光二极管以及至少一互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。