[发明专利]可即时补偿研磨曲面的控制系统无效
申请号: | 02131817.4 | 申请日: | 2002-09-06 |
公开(公告)号: | CN1405850A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | 许嘉麟;胡绍中;蔡腾群 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;B24B7/22 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种可即时补偿研磨曲面的控制系统,用于一化学机械研磨机台中,该化学机械研磨机台包含有至少一第一环状区域以及一第二环状区域,一设有一研磨垫的研磨平台,一至少包含有二分别对应于该第一、第二环状区域的内、外圈并用来承载一待研磨晶圆的晶圆载座设置于该研磨垫上方,以及一研磨液供应装置;该控制系统包含有至少一第一感测器以及一第二感测器,分别设置于该第一、第二环状区域上,以及一控制单元,用以依据该第一、第二感测器的信号以及一预设的程序来分别调整该第一、第二环状区域的研磨液供应量以及该晶圆载座的内、外圈的施力量;本控制系统可即时校正误差,进而得以更加精确地控制研磨均匀度,改善产品良率。 | ||
搜索关键词: | 即时 补偿 研磨 曲面 控制系统 | ||
【主权项】:
1.一种可即时补偿研磨曲面的控制系统,设于一化学机械研磨机台中,其特征是:该化学机械研磨机台包含有一研磨平台,该研磨平台至少包含有一第一环状区域以及一第二环状区域,一研磨垫设置于该研磨平台上,一晶圆载座设置于该研磨垫上方,承载一待研磨的晶圆,该晶圆载座至少包含有一内圈以及一外圈,分别对应于该第一环状区域以及该第二环状区域,以及一研磨液供应装置,该研磨液供应装置包含有一第一研磨液泵阀设置于与该第一环状区域相对应的位置,以及一第二研磨液泵阀设置于与该第二环状区域相对应的位置,该控制系统包含有:至少一第一感测器以及一第二感测器,分别设置于该第一环状区域以及该第二环状区域上;以及一控制单元,电连接于该第一感测器以及该第二感测器,依据该第一感测器以及该第二感测器的信号比较该第一环状区域以及该第二环状区域上的该晶圆受研磨速率的差异,并依据一预设的程序调整该第一研磨液泵阀以及该第二研磨液泵阀的研磨液供应量,或依据一预设的程序调整该晶圆载座的内圈与外圈的施力量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造