[发明专利]接触孔的形成方法无效
申请号: | 02131862.X | 申请日: | 2002-09-06 |
公开(公告)号: | CN1481015A | 公开(公告)日: | 2004-03-10 |
发明(设计)人: | 陈俊哲;叶芳裕;林涵智;陈进贤 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L21/302 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种同时形成栅极接触孔与位线接触孔的方法。提供一半导体衬底,其表面设有依序相邻的第一、第二、第三栅极导电结构,其中各栅极导电结构顶部皆有一覆盖层,且第二与第三栅极导电结构位于一有源区域内。形成具平坦表面的第一内层介电材料层,以填满各栅极导电结构间的空隙。形成图案化光致抗蚀剂于内层介电材料层的部分表面。以图案化光致抗蚀剂为掩模,选择性蚀刻第一栅极导电结构的覆盖层,以露出该结构的顶部。形成具有平坦表面的第二内层介电材料层于衬底整个表面上。形成图案化掩模层于第二内层介电材料层表面。以上述图案化掩模层为掩模,蚀刻第一与第二内层介电材料层,同时形成第一与第二接触孔于第一与第二内层介电层内。 | ||
搜索关键词: | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种接触孔的形成方法,包括:提供一半导体衬底,其表面上设有依序相邻的一第一栅极导电结构、一第二栅极导电结构以及一第三栅极导电结构,其中上述各栅极导电结构的顶部皆具有一覆盖层,且上述第二栅极导电结构与上述第三栅极导电结构位于一有源区域内;形成一第一内层介电材料层,以填满上述第一栅极导电结构与上述第二栅极导电结构的空隙、上述第二栅极导电结构与上述第三栅极导电结构的空隙;形成一图案化光致抗蚀剂于上述内层介电材料层的部分表面,以露出上述第一栅极导电结构上方的覆盖层;以上述图案化光致抗蚀剂为掩模,选择性蚀刻上述第一栅极导电结构的覆盖层,以露出上述第一栅极导电结构的顶部;形成一第二内层介电材料层于上述衬底的整个表面上,以填满上述第一栅极导电结构的顶部且覆盖上述第一、第二与第三栅极导电结构以及上述第一内层介电材料层;形成一具有一第一开口与一第二开口的图案化掩模层于上述第二内层介电材料层表面,其中上述第一开口对应于上述第一栅极导电结构的上方,上述第二开口对应于上述第一与第二栅极导电结构的空隙上方;以及以上述图案化掩模层为掩模,蚀刻上述内层介电材料层,同时形成一第一接触孔与一第二接触孔于上述第一内层介电层与上述第二内层介电层内,其中上述第一接触孔露出上述第一栅极导电结构的顶部,上述第二接触孔露出上述第二栅极导电结构与上述第三栅极导电结构之间衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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