[发明专利]自动显示磨耗程度的研磨垫及制造方法有效
| 申请号： | 02131996.0 | 申请日： | 2002-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1480991A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈志焜;龚耀雄 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自动显示磨耗程度的研磨垫，包括一研磨基板，具有一研磨面、一基准面、至少一第一标记孔，设置于该研磨面下方一第一既定距离处、至少一第二标记孔，设置于该研磨面下方一第二既定距离处，以及至少一第三标记孔，设置于该研磨面下方一第三既定距离处，其中该第一、第二及第三标记孔，由该研磨面往该基准面方向延伸，并且该第三既定距离大于该第二既定距离，且该第二既定距离大于该第一既定距离。 | ||
| 搜索关键词： | 自动 显示 磨耗 程度 研磨 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可自动显示损耗程度的研磨垫的制造方法，包括：提供一研磨基板，具有一研磨面及一背面；以及于该研磨基板的背面下，形成具有一第一既定深度的至少一第一标记孔、具有一第二既定深度的至少一第二标记孔，以及具有一第三既定深度的至少一第三标记孔，其中该第一既定深度大于该第二既定深度，该第二既定深度大于该第三既定深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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