[发明专利]整合式晶片型二极管无效
| 申请号： | 02132047.0 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1482685A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈俊华;祝孝平 | 申请（专利权）人： | 陈俊华;祝孝平 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种整合式晶片型二极管，利用扩散技术，在一半导体晶圆的顶部及底部，分别形成一预定厚度的p+及n+型半导体(或n+及p+型半导体)，再利用雕像、蚀刻、布植及烧结等半导体制作技术，于该晶圆上分别制作出复数个二极管，各该二极管的侧缘以绝缘玻璃予以封合，其二端面的p+及n+型半导体上，则分别形成有一导电金属层，其中的一导电金属层的局部表面上，并披覆有一绝缘材料，使该另一导电金属层可通过该绝缘玻璃上所烧结的又一导电金属层，导通至另端的该绝缘材料上；本发明的晶片型二极管，无需后续封装程序，可直接安装于相关的电子线路上，还可有效改善二极管的热传导特性，确保其可承受较大的工作温度，并大幅缩小其体积。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 晶片 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种整合式晶片型二极管，其特征是：利用扩散技术，在一半导体晶圆的二端面，分别形成一预定厚度的不同型半导体，再于该晶圆上分别制作出复数个二极管，各该二极管的侧缘以绝缘玻璃予以封合，其中一端面的一半导体表面上，形成有一导电金属层，该导电金属层的局部表面上披覆有一绝缘材料，使该二极管另一端面的另一半导体，可通过该绝缘玻璃上所烧结的另一导电金属层，导通至与该绝缘材料上，而与该导电金属层，在该二极管的同一端面上，形成二独立的焊接导电端，使各该焊接导电端可分别与各该二极管上不同型的半导体相导通。
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