[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02132180.9 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1402359A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 平野有一;松本拓治;山口泰男 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可抑制总辐射剂量效应发生的半导体装置。该装置的电压施加部分32连接在硅基片1上。半导体装置在受到放射线照射时，在BOX层2内靠近与硅层3的界面处有大量的空穴蓄积。空穴的蓄积量当然会随着时间的经过而增加，但电压施加部分32可在硅基片1上施加随经过时间下降的负电压，用以消除因所蓄积的空穴产生的正电场。电压施加部分32中设有检测经过时间的计时器30，以及连接于基片1的、基于计时器30的检测结果(时间T)产生与经过时间成比例地下降的负电压V1的电压发生部分31。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：SOI基片，它具有以“支持基片、绝缘层、半导体层”这样的顺序淀积而成的结构；半导体元件，它包含在所述半导体层的主面内形成的成对的源漏区、限定于所述成对的源漏区之间的体区(bodyregion)以及在所述体区上方所述半导体层的所述主面上隔着栅绝缘膜形成的栅电极；电压施加部分，它将随时间的经过而下降的负电压施加到所述支持基片。
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