[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02132184.1 | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1411075A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山本文寿 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明旨在减少包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置中噪声的发生。耗尽型N沟道晶体管，具有以圆形形成的漏区7，并以将漏区包围的方式设置外周为圆形的栅区5。再以将漏区包围的方式在栅区的外侧设置源区71，源区跟元件分离用氧化膜3以预定的距离隔开。例如，在源区的外侧形成P+扩散层8，通过该P+扩散层仅以预定的距离将源区和元件分离用氧化膜隔开。并且，在P+扩散层形成和源区共用的接触孔10，栅区与漏区设置成同心圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置，所述耗尽型N沟道晶体管包含以圆形形成的漏区、以将该漏区包围的方式设置的栅区和以将所述漏区包围的方式在所述栅区的外侧设置的源区，其特征在于：所述源区以预定的距离和元件分离用氧化膜隔开。
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