[发明专利]半导体存储器件的功率控制方法及半导体存储器件无效
| 申请号： | 02132186.8 | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1402258A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 中井洁;伊藤丰;桥本刚;加藤英明 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司;日立超大规模集成电路系统株式会社;株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够在等待状态极大地降低功耗的半导体存储器件的功率控制方法和半导体存储器件。该功率控制方法用于在等待状态中实行功率控制的超低功耗模式。在超低功耗模式中，提供突发自刷新状态，断电状态和通电状态。在突发自刷新状态，以集中方式刷新存储单元。在断电状态，可以部分地断开内部电源电路。在通电状态，接通已经被部分断开的内部电源。因此，可以极大地降低在等待状态下的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 功率 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有必须通过刷新来保持数据的存储单元的半导体存储器件的功率控制方法，包括：采用在等待状态中实行功率控制并提供集中刷新状态，断电状态和通电状态的超低功耗模式的步骤，和其中在所述集中刷新状态下以集中方式刷新所述存储单元，在所述断电状态下部分断开内部电源电路，和在所述通电状态下接通部分已断开的所述内部电源电路。
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