[发明专利]非对称高电压金属氧化物半导体元件无效
| 申请号： | 02132194.9 | 申请日： | 2002-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1419298A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘昌淼 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非对称高电压金属氧化物半导体元件，包括一底材，具有一绝缘层和于绝缘层上的第一导体型半导体层。数个浅沟渠隔离形成于半导体层内以限定一主动区域。一场氧化区域形成于主动区域的半导体层上。一第二导体型的漂移区域形成于场氧化区域下的半导体层内。一基极结构形成于半导体层上以覆盖部份场氧化区域，至少包括一基极介电层及一导体层。一第一发射极区域及第一集电极区域相对形成于基极结构侧边的半导体层内并具有第二导体型及一第一掺杂浓度，场氧化区域隔离基极结构与第一集电极区域。第二发射极区域及第二集电极区域具有第二导体型及一第二掺杂浓度，并分别形成于第一发射极区域及第一集电极区域内，第二掺杂浓度较第一掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 电压 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高电压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包括：一底材，该底材具有一绝缘层于该底材上和一半导体层于该绝缘层上，其中该半导体层具有第一导体型；数个浅沟渠隔离形成于该半导体层内，以限定一主动区域；一场氧化区域形成于该主动区域的该半导体层上；一漂移区域形成于该场氧化区域下的该半导体层内，其中该漂移区域具有一第二导体型；一基极结构形成于该主动区域的该半导体层上，以覆盖一部份该场氧化区域；一第一发射极区域及一第一集电极区域彼此相对形成于该基极结构侧边的该主动区域的该半导体层内，并具有该第二导体型及一第一掺杂浓度，且该场氧化区域用以隔离该基极结构与该第一集电极区域；及一第二发射极区域及一第二集电极区域分别形成于该第一发射极区域及该第一集电极区域内，并具有该第二导体型及一第二掺杂浓度，且该第二掺杂浓度较该第一掺杂浓度高。
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