[发明专利]用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 02132249.X | 申请日： | 2002-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1404192A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 笹冈千秋 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氮化物 半导体 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，所述方法包括步骤：形成一个基于氮化物半导体的非晶体层；蚀刻至少一部分所述非晶体层以形成部分蚀刻的非晶体层；和结晶所述部分蚀刻的非晶体层以形成一部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02132249.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器
- 下一篇：穿心莲内酯衍生物其制备方法和它们的药物组合物
