[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 02132282.1 | 申请日： | 2002-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1480995A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 饭岛悦夫;土屋浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;沙捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。如果终点检测器17(EPD)检测出终点(t5)，则断开从高频电源12来的RF功率(底部RF)的同时(t5)，停止向晶片W背面供给He气14(t5)，蚀刻不进行，而且，在可能维持等离子体的范围内，在控制从高频电源11来的RF功率(顶部RF)的状态下(t5)，断开高压直流电源13(HV)，由此可以一边正确控制蚀刻量，一边抑制微粒的吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征为，包含以下工序：借助静电吸盘固定晶片的工序，通过施加具有第1频率的第1高频电力和具有第1频率以下的第2频率的第2高频电力，进行所述晶片的等离子体处理的工序，在所述等离子体处理终止后，在所述等离子体处理不进行的范围内，维持等离子体放电的工序，停止借助所述静电吸盘向晶片背面供给冷却气体的工序，停止向所述静电吸盘施加直流电压的工序，以及在停止施加所述直流电压后，停止所述等离子体放电的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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