[发明专利]包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置

摘要

存储器阵列(10)，被划分m行×n列的多个存储单元块(50)。写入数字线(WDL)，对各个存储单元块以独立的方式按每个存储单元行进行划分。各写入数字线(WDL)，根据通过与写入数字线(WDL)分级配置并由在行方向相邻的多个子块共用的主字线(MWL)及段译码线(SGDL)传送的信息有选择地激活。由于行方向的数据写入电流只流过与选择存储单元块对应的写入数字线(WDL)，所以能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入。

主权项

1.一种薄膜磁性体存储装置，备有：存储器阵列，包含按行列状配置的多个存储单元，各上述存储单元，具有根据由第1和第2数据写入电流以磁性方式写入的存储数据改变的电阻；多条写入数字线，分别与存储单元行对应设置，并在激活时分别用于使上述第1数据写入电流沿行方向流过；多条写入位线，分别与存储单元列对应设置，并在激活时用于使上述第2数据写入电流沿列方向流过；多条字线，分别与存储单元行对应设置，并用于将包含被选定为数据读出对象的选择存储单元的选择行激活；行选择部，用于执行上述存储器阵列中的行选择，上述行选择部，包含用于对行地址进行译码的行译码电路、与各字线对应设置并当读出数据时用于根据对应的存储单元行的译码结果将对应的字线激活的字线选择电路、与各上述写入数字线对应设置并当写入数据时用于根据上述对应的存储单元行的上述译码结果将对应的写入数字线激活的写入数字线选择电路。