[发明专利]含有嵌入导体的软基准层的磁阻器件有效
| 申请号： | 02132342.9 | 申请日： | 2002-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1409320A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;M·沙马;M·K·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储器件包含能沿两个方向中的任何一个方向取向的磁化的数据铁磁层(12)，基准层(912，912’)，和在数据层和基准层(12和912，912’)之间的隔离层(16)。基准层(912，912’)包含介电层(914)，被介电层(914)隔开的第一和第二导体(20和22)，和在第一和第二导体(20，22)上的铁磁包覆层(912a，912a’，912b，912b’)。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 嵌入 导体 基准 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，该器件包含：具有能够沿二个方向中的任何一个方向取向的磁化的数据铁磁层(12)；包含介电层(914)的基准层(912，912‘)，被介电层(914)隔开的第一和第二导体(20，22)，和在第一和第二导体(20，22)上的铁磁包覆层(912a，912b，912a‘，912b’)；以及在数据层和基准层(12和912，912‘)之间的隔离层(16)。
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