[发明专利]一种金属单晶横向晶体取向的控制方法有效
| 申请号： | 02132531.6 | 申请日： | 2002-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1465754A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郑启;孙晓峰;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;B22D27/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属单晶的制备技术，具体地说是一种金属单晶横向晶体取向的控制方法。在单晶炉中，设置有选晶器、起晶器，应用选晶法生长单晶铸件；其中：所述起晶器采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶炉中生长单晶。本发明能在晶体生长过程中通过引入附加的定向横向热场，结合晶体生长择优取向的特征，控制单晶横向晶体取向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 横向 晶体 取向 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属单晶横向晶体取向的控制方法，在单晶炉系统(4)中设置有选晶器(2)、起晶器(3)，应用选晶法生长单晶铸件(1)；其特征在于：所述起晶器(3)采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶炉中生长单晶。
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