[发明专利]大面积平面晶片双面精密加工工艺无效
| 申请号： | 02132894.3 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1480992A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 郑琛 | 申请（专利权）人： | 大连淡宁实业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116045辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 大面积平面晶片双面精密加工工艺，采用行星式研磨抛光机进行研磨抛光，先进行研磨后进行抛光，在进入精磨前修正上下研磨盘，把铸铁游星轮放在上下研磨盘之间对研磨盘进行研磨，把研磨盘完全研磨合后，再将装有晶片的行星轮放在上下研磨盘之间对晶片进行研磨和抛光。最好是铸铁游星轮放在上下研磨盘之间研磨一段时间，就翻动一次行星轮；最好还改变游星轮转动方向。双面研磨抛光后，再放到单面抛光机进行单面精抛光。这样不但表面光洁度好，而且平行度也相当高，加工速度也提高了。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 平面 晶片 双面 精密 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种大面积平面晶片双面精密加工工艺，采用行星式研磨抛光机进行研磨抛光，先进行研磨后进行抛光，其特征在于：在进入精磨前修正上下研磨盘，把铸铁游星轮放在上下研磨盘之间对研磨盘进行研磨，把研磨盘完全研磨合后，再将装有晶片的游星轮放在上下研磨盘之间进行研磨和抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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