[发明专利]一种微光机电器件的制作方法

摘要

本发明涉及一种三维微光机电器件结构的制作方法。在衬底上溅射电铸阴极，光刻、电铸形成金属结构，去胶后去除暴露的电铸阴极，再次用厚型正性光刻胶曝光、显影、坚膜暴露金属结构上表面，剩余光刻胶作牺牲层。涂敷另一种光刻胶，前烘、曝光、后烘、显影、坚膜，去除牺牲层，制成微器件。本发明采用光刻技术在上盖体内制作任意几何形状的微结构；与上盖接触的材料为硅、玻璃、金属等；不需要额外复杂设备，用准LIGA设备即可；工艺简单，器件成品率高；制作过程不需对器件施加电压、压力及高温，对器件无损伤。上盖结构对可见光透射性好，可制作不耐高温、不耐高电压及压力的非密封微光学、微流体等器件。

主权项

1、一种微光机电器件的制作方法，其步骤如下：(A)清洗器件衬底，(B)在器件衬底上溅射金属层作为电铸阴极，(C)在(B)步骤的上表面涂覆一层厚型正性光刻胶，光刻形成器件微模结构，(D)在(C)步骤的上表面电铸形成器件的金属结构，(E)去除(C)步骤上表面正性光刻胶的器件微模结构，(F)在(E)步骤的上表面用干法刻蚀去除微模结构下方的电铸阴极，使之露出电铸阴极下方器件衬底表面，其特征在于：(G)在(F)步骤的上表面再次涂覆与步骤(C)相同型号和厚度的厚型正性光刻胶，(H)用步骤(C)微模结构的光刻版对(G)步骤进行曝光、显影、坚膜暴露金属结构上表面，保留下来的光刻胶作为牺牲层，(I)在步骤(H)上表面自旋涂覆一层光刻胶粘附剂并在烘箱中烘干，涂敷所需厚度的光刻胶，再放在烘箱中前烘，(J)用上盖结构图形的光刻版对步骤(I)进行曝光，(K)对步骤(J)进行后烘，(L)对步骤(K)进行显影、放在烘箱中坚膜，然后去除步骤(H)的牺牲层，制成微器件。