[发明专利]栅控纳米碳管冷阴极X线管无效
申请号: | 02133184.7 | 申请日: | 2002-10-15 |
公开(公告)号: | CN1404098A | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | 谭大刚 | 申请(专利权)人: | 谭大刚 |
主分类号: | H01J35/04 | 分类号: | H01J35/04;H01J35/06 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所 | 代理人: | 宋铁军 |
地址: | 110034 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及对现有X线管的工作原理结构材料及其供电电路的重大改进。其特征是由纳米碳管膜片作为X线管阴极电子发射体,在该膜片中心的发射面积上设置有纳米碳管阵列;在纳米碳管膜片相对应的位置上设置有栅极片,栅极片是固定在阴极组合体外壳上并与之相互导通,纳米碳管膜片与栅极片及阴极组合体外壳被绝缘垫片所隔离。使用时,除按常规加管电压外,还在栅极与阴极之间加电压Ugk,用以调控管电流,该电压取自最后一级倍压电容,通过电阻或电容分压提供。本发明的目的在于解决常规X线管阴极加热需要专门的供电电源的问题,以及采用金属尖冷阴极时阴极工作寿命短、不能实现对发射电子束聚焦和管电流调控等方面存在的问题。 | ||
搜索关键词: | 纳米 碳管冷 阴极 线管 | ||
【主权项】:
1、栅控纳米碳管冷阴极X线管,其包括有X线管外壳(8)及设置在X线管外壳(8)内的阴极组合体(1)和阳极组合体(11),其特征在于:由纳米碳管膜片(3)作为X线管阴极电子发射体,在该膜片(3)中心的发射面积上设置有纳米碳管阵列;纳米碳管膜片(3)的背面有导电引出片(4),通过阴极导线(5)引出X线管外壳(8)之外;在纳米碳管膜片(3)相对应的位置上设置有栅极片(2),栅极片(2)是固定在阴极组合体外壳(1)上并与之相互导通,栅极片(2)和阴极组合体外壳(1)由栅极引出导线(6)引出X线管外壳(8);纳米碳管膜片(3)与栅极片(2)及阴极组合体外壳(1)被绝缘垫片(7)所隔离;阴极组合体外壳(1)在栅极片(2)的另一侧的形状为一级聚焦电场台阶(9)和二级聚焦电场台阶(10)。
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