[发明专利]金钗石斛的快速繁殖方法无效
申请号: | 02134754.9 | 申请日: | 2002-09-17 |
公开(公告)号: | CN1157107C | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
发明(设计)人: | 叶庆生;刘伟;王小菁 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 王楚鸿 |
地址: | 510631广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 金钗石斛的快速繁殖方法,在现有技术五步骤的“丛生芽诱导”步骤之后增加“丛生芽增殖培养”,该步骤采用1/2MS+0.1-0.2mg/LNAA+50%香蕉汁100mL/L+蔗糖25-30g/L+活性炭0.5g/L培养基,培养条件为25-28℃,光强2000-3000Lx,培养时间25-30天,光照10-12小时/天。本方法具有繁殖快、成本低、种苗生长整齐、练苗简便、遗传稳定性好、外植体易得等优点。 | ||
搜索关键词: | 金钗 石斛 快速 繁殖 方法 | ||
【主权项】:
1、一种金钗石斛的快速繁殖方法,其特征在于包括如下步骤:(1)外植体的选择与灭菌:选用二年生茎段为外植体,首先用300-500mg/L的多菌灵溶液浸泡2-4小时,然后用70%乙醇杀菌1-2分钟,再用0.1%氯化汞杀菌15-20分钟,最后用12%次氯酸钠杀菌0.5-1分钟;(2)腋芽的萌发:将经灭菌处理后的外植体培养于下列培养基中:1/2MS+0-1mg/L BA+0-1mg/L NAA+50%香蕉汁100mL/L+蔗糖25g/L+活性炭0.5g/L,pH为5.6-5.8;培养条件为温度25±1℃、光照1500-2000Lx;光照时间为8-10小时/天,培养时间为28-32天;(3)丛生芽诱导:将经腋芽萌发的材料培养于下列培养基中:1/2MS+0.1-0.5mg/L BA+50%香蕉汁100mL/L+蔗糖25-30g/L+活性炭0.5g/L,pH为5.6-5.8;培养条件为温度25-28℃、光强1500-2000Lx;光照时间为10-12小时/天,培养时间为28-32天;(4)丛生芽增殖培养:将经丛生芽诱导的材料培养在下列培养基中:1/2 MS+NAA 0.1-0.2mg/L+50%香蕉汁100mL/L+蔗糖25-30g/L+活性炭0.5g/L,pH为5.6-5.8;培养条件为温度25-28℃、光强2000-3000Lx;培养时间为25-30天,光照时间为10-12小时/天;(5)成苗培养:所采用的培养基配方为:MS或N6+10%香蕉汁+0.1-0.2mg/L NAA+1-2mg/LBA;培养条件为温度25±1℃、光照1500-2000Lx;光照时间为8-10小时/天,培养时间为60-90天;(6)练苗和移栽:将洗净培养基的瓶苗在阴凉处晾20-30小时,缓慢降低其含水量,然后将其栽培于商品水藓中,栽培后7-10天内不浇水,一个月后,开始每周施肥2次,用0.3-0.5%的复合肥叶面喷施。
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