[发明专利]一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法有效
| 申请号： | 02135164.3 | 申请日： | 2002-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1466227A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 何晓光;黄光辉 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 为了克服氮化镓芯片N电极与P电极制作在同一面时发光面积减少、易导致静电效应的缺点，本发明通过将伸张后的芯片(P电极朝胶带)，固定于溅镀机台腔体内(蓝宝石面朝外)，进行铝层溅镀，将N、P两电极分别制作在氮化镓发光二极管芯片的两面，从而解决以往以蓝宝石等绝缘材料为衬底，制作发光二极管芯片时，无法将N电极制作于芯片背面的问题，从而降低了芯片的制作成本，同时改善了芯片的静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 氮化 发光二极管 芯片 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法，包括以下步骤：(1)以蓝宝石、碳化硅(SiC)等绝缘材料为衬底，在其上做外延成长；(2)在外延片上制作切割道图形，非切割道区域以高选择性材料覆盖；(3)在干蚀刻机台中，将切割道区域的P型外延层蚀刻至N型外延层；(4)在上述之N型外延层上制作N电极，并熔合形成N极欧姆接触区；(5)在N、P电极制作完成后，对外延芯片做划片、裂片、伸张处理；其特征在于：N电极之欧姆接触区域为四方框形；外延芯片经划片、裂片和伸张处理后，在衬底的背面溅镀一层铝。
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