[发明专利]抗反射膜SiON表面氢等离子体处理方法无效
| 申请号： | 02136122.3 | 申请日： | 2002-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1414612A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 缪柄有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞,陶金龙 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | SiON是一种很有前途的一种无机抗反射膜材料；然而它的缺点是存在光刻胶底膜的留存问题，主要原因是由于SiON表面的胺基(－NH2)集团与光刻胶反应所致，这在很大定程度上影响了图形转移的准确性；随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移——从248到193nm或157nm，如何减小来自衬底反射光的影响构成了一种挑战。为了阻止光刻胶中的H+向下转移，这里我们采用氢等离子方法使SiON表面富H+，从而消除光刻胶底膜(footing)留存问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 sion 表面 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路制造工艺中SiON膜的表面处理方法，其特征在于：用常规等离子体方法在欲刻蚀的衬底上淀积SiON抗反射膜，然后在原位先用Ar等离子体进行表面物理轰击，以除去SiON膜表面键合较弱的胺基；紧接着用H2+Ar或H2+He混合等离子体进行表面处理，使SiON膜表面未饱和的胺基得以饱和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
