[发明专利]一种制备立方相纳米氮化铌粉体的方法无效
| 申请号： | 02136245.9 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1166557C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 高濂;李耀刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备立方相纳米氮化铌粉体的方法。其特征在于以水解法制备的高比表面积无定形五氧化二铌(Nb2O5)粉体为原料，在氨气氛中将无定形五氧化二铌粉体于管式反应炉中高温氮化直接制得立方相纳米氮化铌粉体。通过改变氮化温度、氮化时间、氨气流量等工艺条件，可获得不同晶粒尺寸的超细氮化铌粉体。在优化条件下，可得到晶粒尺寸为15-40 nm的立方相纳米氮化铌粉体。本方法具有工艺简单、生产成本低和可以大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 立方 纳米 氮化 铌粉体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备立方相纳米氮化铌的方法，其特征在于包括：(1)先水解法制备无定形五氧化二铌粉体；(2)在流动氨气氛下，将无定形五氧化二铌粉体直接氮化合成粒度为15-40nm的立方相纳米氮化铌粉体，氮化反应温度控制在650-800℃，氨气流量为0.5-5升/分钟，氮化保温时间3-8小时。
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