[发明专利]棒状多晶GaN及其二步制备方法无效
| 申请号： | 02136638.1 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1398790A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;纳赛尔;邵庆辉;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;C01B21/06;C30B29/38 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的棒状多晶GaN的二步制备方法包括以下步骤1)采用热浴法用清洗液清洗衬底；2)将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到1Pa～10－3Pa，加热，使衬底温度升到600～800℃，镓源温度升到600～900℃，热蒸发金属镓，使镓原子均匀分布在衬底表面；3)将步骤2)所得沉积了金属镓层的衬底放入氨气氮化装置的加热炉中，在常压或真空下，升温至800～1000℃，通入高纯氨气，进行氮化，然后在保持通氨气情况下随炉温冷却，得本发明产品是直径为200nm～2μm，长度为10～20μm的棒状多晶体。本发明的优点在于生长设备简单，所制备出的棒状多晶GaN尺寸可控且大小均匀、价格便宜、纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 gan 其二 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.棒状多晶GaN，其特征在于它是直径为200nm～2μm，长度为10～20μm的棒状多晶体。
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