[发明专利]形成介电质层的方法无效
| 申请号： | 02136842.2 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1480997A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张开军;邓觉为;马可 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成介电质层的方法。首先，形成含硅层于底材上；然后，以低温电浆增益化学气相沉积程序与反应气体处理含硅层，藉以形成介电质层于底材上。在此，可以先形成金属层于底材上，然后再形成含硅层于金属层上：可能的反应气体有氧气、氮气与氧化氮：而低温电浆增益化学气相沉积程序的典型反应环境为：温度在200℃至750℃之间、压力在2至12毫托耳之间、反应气体的流量在30sccm至150sccm之间、而电桨功率在1000瓦至6000瓦之间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电质层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成介电质层的方法，包含：提供一底材；形成一含硅层于该底材上；以及以一低温电浆增益化学气相沉积程序处理该含硅层，藉以形成一介电质层于该底材上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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