[发明专利]化学汽相淀积生成TiN阻挡层的方法无效
| 申请号： | 02137189.X | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1414603A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 徐小诚;缪炳有 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/108 | 分类号： | H01L21/108;H01L21/31;H01L21/471;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种CVD淀积TiN薄膜的集成电路制造工艺，是用化学汽相淀积(CVD)方法，利用含Ti的化学物质TDMA，淀积一层TiN薄膜。并在原位进行H2－N2射频等离子处理。第一步淀积工艺的目的是制备出均匀的、具有较高的台阶覆盖率的TiN薄膜，而第二步H2－N2射频等离子处理则是为了减小CVD淀积的TiN薄膜中碳、氧、和氢等杂质的含量，降低电阻率，使TiN晶粒均匀生长，并使TiN薄膜增密。用这种方法淀积的TiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性，能显著改善Al金属导线的电迁移性能。TiN还是Cu的阻挡层，可用于Cu金属化工艺，实现Cu金属大马士革互联技术。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 汽相淀积 生成 tin 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CVD淀积TiN阻挡层的方法，其特征在于，第一步，用CVD方法，采用He气携带含Ti的化学物质TDMA，在真空条件下，通过热分解淀积一层TiN薄膜；第二步，在原位进行H2-N2射频等离子处理，反复循环上述步骤直至达到设定的TiN沉积厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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