[发明专利]Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺无效
| 申请号： | 02137191.1 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1419270A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Z3MS是一种新的低介电材料，在工艺集成过程中还需要解决一些相关工艺问题，如刻蚀后的去胶工艺。本发明采用N2/O2干法去胶，并通过调整，优化了三个主要参数N2、O2和偏压RF功率，为Z3MS的干法去胶找到了一种新工艺。本发明工艺简单，容易操作，稳定性好，适用于大生产线。 | ||
| 搜索关键词： | z3ms 刻蚀 干法去胶 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺，其特征在于：用氧等离子体燃烧法去除光刻胶，具体步骤为，将刻蚀后的Z3MS硅片放入刻蚀设备，然后用N2/O2干法去胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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