[发明专利]一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法无效
| 申请号： | 02137202.0 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1416140A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 奉玉廷;候李明;王军;杨兆国 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C17/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子PTC热敏电阻器芯材配料、成片过程中，在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中，4～6小时，然后迅速将其转移至－20℃～－60℃的冷冻设备中使其迅速冷却1～2小时。本发明通过采用合适的高低温相结合的热处理工艺，有效地改善了PTC热敏电阻器中结晶性高聚物的结晶形态，可使晶粒变得细小而均匀，并使PTC热敏电阻器中导电填料、无机非导电填料、各种助剂在高聚物的基体中分布得更加均匀，提高了PTC热敏电阻的内部组成的均匀性，使得其各种性能如室温电阻、耐流或耐压能力、耐流或耐压后的电阻变化率等更均一。提高了高分子PTC热敏电阻器性能的均匀性、一致性，进而提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高分子 ptc 热敏 电阻器 制造 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高分子PTC热敏电阻器的制造及热处理方法，高分子PTC热敏电阻器芯材配料、成片及制成芯片的过程中，其特征在于在工艺冲片、辐照后，将芯片先置于高分子聚合物熔点以上40～80℃的加热设备中，4～6小时，然后迅速将其转移至-20℃～-60℃的冷冻设备中使其迅速冷却1～2小时。
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