[发明专利]检测自由电子激光光强密度的设备及方法

摘要

本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括自由电子激光器(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体材料的透射率相对于FEL入射光强密度的固定关系来标定被测FEL光强密度。本发明的最大优点是整个测量过程大大简化，避免了光斑面积和脉冲半宽度测量所带来的不精确性，使获得的测量结果更精确。另外，由于本发明采用了透射特性十分稳定窄禁带半导体材料，如InSb或HgCdTe，因此用该方法测量的FEL的光强密度重复性好。

主权项

1.一种检测自由电子激光光强密度的设备，其特点是：该设备依次包括：FEL(1)、光阑(2)、对FEL输出激光进行分束的KBr分束片(3)、若干片厚度不一的窄禁带半导体样品(4)、分别接收由KBr分束片分束的反射光和透射光的二个能量辐射计(6)(5)及处理二个能量辐射计输出信号的计算机(7)；所说的窄禁带半导体样品(4)置于KBr分束片(3)透射光输出处和能量辐射计(5)之间。