[发明专利]掺铒氧化锌近红外光源

摘要

一种掺铒氧化锌近红外光源，属半导体发光器件技术领域，在GaN基发光二极管上，沉积掺铒氧化锌单晶薄膜，转换波长，构成高效发射波长为1.54μm的近红外光源，有量子发光效率高和发射波长与工作温度无关等优点，特别适于在光通信技术中，与掺铒光纤放大器联用，作波长(1.54μm)不依赖于工作温度的高效近红外光源。

主权项

1.一种掺铒氧化锌近红外光源，包括衬底1、p-AlGaN层2、InGaN层3、n-AlGaN层4、掺铒化合物单晶薄层和金属电极7，衬底1是白宝石，即Al2O3的透明晶片，p-AlGaN层2、InGaN层3和n-AlGaN层4组成GaN基发光二极管，p-AlGaN层2和n-AlGaN层4上制有金属电极7，n-AlGaN层4上沉积有掺铒化合物单晶薄层，掺铒化合物单晶薄层或p-AlGaN层2沉积在衬底1上，其特征在于，还包括氧化锌单晶薄膜过渡层5，掺铒化合物单晶薄层是掺铒氧化锌单晶薄层6，氧化锌单晶薄膜过渡层5沉积在掺铒氧化锌单晶薄层6与n-AlGaN层4之间。