[发明专利]一种多层膜结构的半导体栅工艺处理方法无效
| 申请号： | 02137736.7 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1416154A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法，具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 半导体 工艺 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层膜结构的栅工艺处理方法，其特征在于，栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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