[发明专利]制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置有效
| 申请号： | 02138262.X | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1482058A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张芬红 | 申请（专利权）人： | 张芬红 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B01J19/08 |
| 代理公司： | 合肥诚兴专利代理有限公司 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 230031安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种能够确保使原料充分参与反应的制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置，该装置包括文氏结构腔体的反应室，反应室腔室的上端与等离子体发生装置的离子弧输出通路连通，反应室的上端设有载气输入通路，该通路与反应室的上部设置的载气分配装置相通，该载气分配装置与反应室之间设有沿反应室的内壁自上而下进入反应室内部的载气通路，在环行载气和快速离子弧作用下，使产品颗粒未及时长大时被及时输送，并在高速气流的带动下进入冷却系统，而不会附着在反应室的腔壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 氮化 硅粉体 相合 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置，该装置包括一个由石墨管件(10)制成的内壁呈文氏结构腔体的反应室(11)，其外部设有由夹层套管(20)构成的冷却腔(21)，夹层套管(20)上设有便于同等离子体发生装置相连的连接部件(30)，位于连接部件(30)一端的反应室(11)腔室的上端与等离子体发生装置的离子弧输出通路连通，反应室(11)上还设有原料输入管路(60)，其特征在于：所述的反应室(11)的上端设有载气输入通路(40)，该通路(40)与反应室(11)的上部设置的载气分配装置(50)相通，该载气分配装置(50)与反应室(11)之间设有沿反应室(11)的内壁自上而下进入反应室(11)内部的载气通路(51)。
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