[发明专利]制备纳米氮化硅粉体的系统有效
| 申请号： | 02138263.8 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1482059A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张芬红 | 申请（专利权）人： | 张芬红 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B01J19/08 |
| 代理公司： | 合肥诚兴专利代理有限公司 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 230031安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种采用等离子气相合成方法制备氮化硅纳米材料的生产系统，它包括等离子发生器和气相合成装置，气相合成装置产生的固态Si3N4和HCl进入分离器中，减压分散团聚颗粒，由捕集装置捕集收集成品Si3N4，等离子发生器采用旋转气流、阳极的机械结构及冷却水压缩，形成高速、稳定火焰的离子弧，由载气分配装置向反应室内沿反应室的腔壁自上而下提供环形载气，使产品颗粒未及时长大时被及时输送，由冷却和捕集装置完成Si3N4收集，从而得到纳米氮化硅陶瓷粉体。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 氮化 硅粉体 系统 | ||
【主权项】：
1、一种制备纳米氮化硅粉体的系统，其特征在于：本发明包括等离子发生器，由工作气体Ar、N2、H2经起弧、转弧形成等离子弧，并保持等离子弧区域周围的还原性气氛；上述等离子发生器产生的等离子弧输至气相合成装置，反应气体SiCL4和NH3经管路输入气相合成装置中，并保持物料平衡和反应温度环境；上述气相合成装置产生的固态Si3N4和HCL进入分离器中，减压分散团聚颗粒；上述物料通过引风装置引导经冷却管路进入捕集装置捕集收集成品Si3N4。
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