[发明专利]渗镀二硅化钼梯度材料制造技术

摘要

本发明涉及利用高能离子向金属基体渗镀二硅化钼形成梯度材料的制造技术。目前市场上MoSi2产品制造比较困难，一般都采用将MoSi2粉末冷压烧结或热压法生产制造，使用范围受到极大限制。本发明通过异常辉光放电原理，形成高能钼、硅离子，一定工艺下生成MoSi2，在金属基体表面形成一定厚度的MoSi2渗镀层。本发明技术制造的MoSi2梯度材料既有所选基材的强度、韧性以及好的工艺性，又有MoSi2的抗高温氧化、耐剧烈腐蚀、抵抗某些金属熔液侵蚀的特点。

主权项

1.一种渗镀二硅化钼梯度材料制造技术，其特征在于金属基体与钼材、硅材置于桶形阴极内，在低真空氩气条件下形成异常辉光放电，产生氩离子、钼离子和硅离子，其生成的MoSi2一部分在一定温度下渗扩到金属基体中去，形成浓度呈梯度变化且有一定深度的MoSi2注渗层，另一部分在金属基体表面形成致密的镀层。