[发明专利]高压P型金属氧化物半导体管有效
| 申请号： | 02138393.6 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1487594A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王之梓 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压P型金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，在栅氧的下方设有N型外延接触孔，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在场氧及漏的下方设有P型漂移区，源、P型漂移区和场氧设在P型衬底上，在源上连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板可获得电源电位即高电压，而场极板上的电压越高，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种高压P型金属氧化物半导体管，由源(2)、漏(3)、栅(4)、场氧(6)、栅氧(7)和氧化层(8)组成，栅氧(7)设在源(2)、漏(3)和场氧(6)上，在栅氧(7)的下方设有N型外延接触孔(91)，栅(4)位于栅氧(7)与氧化层(8)之间，在栅(4)、源(2)和漏(3)上设有铝引线，在场氧(6)及漏(3)的下方设有P型漂移区(31)，源(2)、P型漂移区(31)和场氧(6)设在P型衬底(1)上，其特征在于在源(2)上连接有场极板(5)。
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