[发明专利]一种可用在超高真空环境下的碳石墨材料处理工艺无效
| 申请号： | 02138625.0 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1500718A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈俊凌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C04B35/52 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 奚华保;余成俊 |
| 地址： | 230061*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可用在超高真空环境下的碳石墨材料的处理工艺，主要要解决碳石墨材料经机加工成型后可用在超高真空环境下的问题。本发明的特征在于将碳碳石墨材料加工成碳瓦后，放在去离子水或蒸馏水中经超声波充分清洗，再进行干燥、烘干、高温出气，待碳瓦冷却后真空包装。在机加工成型过程中采取严格措施确保碳瓦无油污染。经本发明处理的碳瓦可应用到磁约束核聚变实验装置中，而且可广泛应用在类似的超高真空装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可用 超高 真空 环境 石墨 材料 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种可用在超高真空环境下的碳石墨材料处理工艺，其特征在于将碳石墨材料加工成碳瓦后，放在清洗液中经超声波清洗，再进行干燥、包装。
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