[发明专利]一种制备氧化钒薄膜的方法无效
| 申请号： | 02138793.1 | 申请日： | 2002-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1392286A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄光;陈长虹;王宏臣;李雄伟;陈四海;易新建 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/36 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种制备氧化钒薄膜的方法，包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和耙材；溅射镀制钒膜，直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；氧化钒膜，制备氧化钒薄膜；钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；退火结束后，关闭退火炉，在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷，避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤，增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性；不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量，降低了方法难度，增加了方法的可重复性，能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备氧化钒薄膜的方法，依次包括以下步骤：(1)衬底表面清洗；(2)溅射钒膜，其流程为：(2.1)充入氩气至安放衬底的真空室，分别采用平行粒子束、聚焦粒子清洗衬底和耙材；(2.2)溅射镀制钒膜，直至镀膜结束；(3)氧化扩散和后退火，其流程为：(3.1)在氩气气氛下加热退火炉，升温后充入氧气，氧气和氩气的流量比为1∶10～10∶1；(3.2)对步骤(2)所镀制的钒膜加以氧化，制备氧化钒薄膜；(3.3)钒膜氧化充分后，关闭氧气阀，氧化钒膜在纯氩气中退火；(3.4)退火结束后，关闭退火炉，氧化钒薄膜在氩气环境内冷却至室温。
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