[发明专利]一种高沉积速率PCVD工艺制作光纤芯棒的方法有效

专利信息
申请号: 02139197.1 申请日: 2002-10-23
公开(公告)号: CN1403397A 公开(公告)日: 2003-03-19
发明(设计)人: 童维军;何珍宝;罗杰 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆有限公司
主分类号: C03B37/012 分类号: C03B37/012;C03B37/014;C03B37/018;C03B20/00;G02B6/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 胡建平
地址: 430073 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种高沉积速率PCVD工艺制作芯棒的方法,采用等离子体化学气相沉积,在圆管形的石英衬管内壁上沉积纯硅或掺杂的氧化硅层,包括流经石英衬管的原料气体(或蒸气),石英衬管穿过筒形的谐振腔且周期转动,同时谐振腔沿石英衬管轴向往复移动,其特征在于高频系统的输出高频功率最大可达3~6KW;反应所需主要原料气体的流量最高可达以纯SiCl4蒸气计800~2000sccm,总O21500~5000sccm,以纯GeCl4蒸气计20~500sccm,以纯Freon蒸气计10~100sccm;可实现的最大沉积速率(以纯硅计)为1.80~3.50g/min,沉积完毕后,在缩棒设备上将沉积管熔缩成实心芯棒。本发明能在保持PCVD原有工艺特性的基础上有效提高其沉积速率,从而提高PCVD工艺的生产效率。
搜索关键词: 一种 沉积 速率 pcvd 工艺 制作 光纤 方法
【主权项】:
1、一种高沉积速率PCVD工艺制作光纤芯棒的方法,采用等离子体化学气相沉积,在圆管形的石英衬管内壁上沉积纯硅或掺杂的氧化硅层,包括流经石英衬管的原料气体(或蒸气),石英衬管穿过筒形的谐振腔且周期转动,同时谐振腔沿石英衬管轴向往复移动,其特征在于高频系统的输出高频功率最大可达3~6KW;反应所需主要原料气体的流量最高可达:以纯SiCl4蒸气计800~2000sccm,总O21500~5000sccm,以纯GeCl4蒸气计20~500sccm,以纯Freon蒸气计10~100sccm;可实现的最大沉积速率(以纯硅计)为1.80~3.50g/min,沉积完毕后,在缩棒设备上将沉积管熔缩成实心芯棒。
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