[发明专利]N－羟基脒类化合物及其制备方法无效
| 申请号： | 02139209.9 | 申请日： | 2002-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1405156A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 石闯;姜中兴;王红霞 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C07D241/04 | 分类号： | C07D241/04 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥,冯卫平 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | N－羟基脒类化合物，其结构式为I。本发明还提供了上述N－羟基脒类化合物的制备方法，将2位、4位或6位的卤代吡啶化腈在无水乙醇中与无水哌嗪作用生成含1位哌嗪基的吡啶化腈类化合物；将含1位哌嗪基的吡啶化腈类化合物与盐酸羟胺、碱金属的碳酸盐反应生成N－羟基脒类化合物；最后利用二碳酸二叔丁酯进行单氨基保护。本发明所得N－羟基脒类化合物，是一些药物的活性成分。另外它是合成1，2，4－噁二唑的重要中间体。1，2，4－噁二唑类衍生物具有良好的生物活性，其应用广泛，如杀虫、杀螨、杀菌及制药等。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.N-羟基脒类化合物，其结构式为式中X＝H或Boct。
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