[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法

摘要

一种双重镶嵌结构的制造方法，此方法的步骤如下首先，在已形成导线的衬底上依序形成一第一介电层、一第二介电层与一底层防反射涂层与一旋涂式介电层。然后，定义旋涂式介电层、底层防反射涂层与第二介电层，以于第二介电层中形成一孔洞，于该旋涂式介电层与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽。以旋涂式介电层与底层防反射涂层为掩膜，去除孔洞所暴露的第一介电层，以形成暴露衬底的一通孔开口，同时去除第一沟槽所暴露的第二介电层，以形成暴露第一介电层的一第二沟槽。之后，去除旋涂式介电层与该底层防反射涂层，以及依序于第二沟槽与通孔开口内形成一共形的阻挡层以及一导体层，且导体层填满第二沟槽与通孔开口。

主权项

1.一种双重镶嵌结构的制造方法，该方法包括：提供一衬底；于该衬底上依序形成一保护层、一第一介电层、一蚀刻终止层、一第二介电层、一顶盖层、一底层防反射涂层与一旋涂式介电层；定义该旋涂式介电层、该底层防反射涂层、该顶盖层与该第二介电层以于该顶盖层与该第二介电层中形成一孔洞，于该旋涂式介电层与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽；以该旋涂式介电层与该底层防反射涂层为掩膜，去除该孔洞与该第一沟槽所暴露的该蚀刻终止层与该顶盖层；以该旋涂式介电层与该底层防反射涂层为掩膜，去除该孔洞与该第一沟槽所暴露的该第一介电层与该第二介电层；以该旋涂式介电层与该底层防反射涂层为掩膜，去除该孔洞所暴露的该保护层以形成暴露该衬底的一通孔开口，以及去除该第一沟槽所暴露的该蚀刻终止层以形成暴露该第一介电层的一第二沟槽；去除该旋涂式介电层与该底层防反射涂层；以及依序于该第二沟槽与该通孔开口内形成一共形的阻挡层以及一导体层，该导体层填满该第二沟槽与该通孔开口。