[发明专利]避免低介电常数介电层劣化的方法有效
| 申请号： | 02140253.1 | 申请日： | 2002-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1395296A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;刘柏村;莫亦先 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种避免低介电常数介电层劣化的方法。该方法是先于低介电常数介电层表面形成一图案化的光阻层；接着利用光阻层作为硬屏蔽，对该低介电常数介电层进行一蚀刻制程；然后去光阻层；最后再对低介电常数介电层进行一表面处理，以去除低介电常数介电层中的Si－OH键，进而避免低介电常数介电层吸附水气而发生介电特性劣化的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 介电常数 介电层劣化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种避免低介电常数介电层劣化的方法，其特征是：它是首先于半导体芯片的基底表面形成低介电常数介电层；通过对图案化的低介电常数介电层进行一表面处理，去除该图案化的低介电常数介电层中的Si-OH键，进而避免该图案化的低介电常数介电层吸附水气而发生介电特性劣化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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